抗D類功放觸控芯片
抗D類功放干擾的觸摸芯片
概 述
VM8521N 是新一代電容檢測傳感器芯片,采用最新一代電荷檢測技術,具備更高的抗干擾能力,能有效抑制RF、數字信號等干擾,可廣泛應用于TWS(True Wireless Stereo)耳機、頸掛式耳機和頭戴式耳機等各類形態(tài)的智能耳機、音響、加濕器、無線充等場合。
特點
工作電壓 2.4V ~ 5.5V;
待機功耗2~10uA @VDD=3V
從待機狀態(tài)開始,觸摸響應時間為100mS,@VDD=3V;
利用外部的電容(1~33nF)調整靈敏度;
輸出模式固定為直接同步模式,觸摸為開漏輸出,低電平有效;
觸控按鍵提供最長輸出時間時間 16 秒;
上電后約有 0.5 秒的穩(wěn)定時間,此期間內不要觸摸觸摸板,此時所有功能都被禁止自動校準功能
剛上電的 8 秒內約每 1 秒刷新一次參考值,若在上電后的 8 秒內有觸摸按鍵或 8 秒后仍未觸摸按鍵,則每 4 秒刷新一次參考值
應用范圍
TWS觸摸人機交互;
音響、加濕器等;
抗D類功放干擾的觸控芯片選型手冊:
類別 | 備注 | 主力 | P/N | Description | response time | reset time | standby power | Package | Size mm | VM products Series |
抗D類功放觸控 | 單通道觸摸芯片 | Y | VM8521N | Touch Low | ||||||
抗D類功放觸控 | 雙通道滑調單芯片 DFN封裝 | Y | VM8522N | Touch Low+Touch Low | 45MS | 16S | 4UA | DFN8 | 2*2 | |
抗D類功放觸控 | 單通道入耳檢測芯片 | Y | VM8531N | Ear Low | 45MS | 16S | 4UA | DFN8 | 2*2 | |
抗D類功放觸控 | 雙入耳單芯片 DFN封裝 | Y | VM8532N | Ear Low+Ear Low | 45MS | 16S | 10UA | DFN8 | 2*2 | Touch & wearing sensor |
抗D類功放觸控 | 入耳加觸控單芯片 DFN封裝 | Y | VM8540N | Touch Low+Ear Low | 45MS | 16S | 10UA | DFN8 | 2*2 | Touch & wearing sensor |